Теория поглощения и испускания света в полупроводниках

курсовые рефераты
1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (Проголосуй первым)
Загрузка...

Теория поглощения и испускания света в полупроводниках

Автор(ы): Грибковский В. П.

23.12.2015
Год изд.: 1975
Описание: В книге с единой точки зрения излагается теория поглощения и усиления света, спонтанной и стимулированной рекомбинации в полупроводниках. Особое внимание уделено взаимодействию вещества с мощными потоками излучения, которые приводят к появлению эффектов насыщения. Впервые в монографической литературе по полупроводникам рассмотрен ряд принципиальных вопросов теории люминесценции: изложена методика вычисления люминесценции как превышения над фоном теплового испускания, сформулирован критерий появления отрицательной люминесценции, проанализировано универсальное соотношение между спектрами люминесценции и поглощения при отсутствии термодинамического равновесия, показана аналогия оптических свойств сложных молекул и полупроводников. Рассчитана на научных сотрудников, аспирантов, специалистов, занимающихся разработкой, созданием и применением полупроводниковых лазеров, фототропных фильтров и оптоэлектронных устройств. Может быть также использована студентами физических факультетов вузов.
Оглавление:
Теория поглощения и испускания света в полупроводниках скачать без регистрации https://book-com.ru

Введение [3]
Глава I. Общая характеристика полупроводников [7]
§ 1. Кристаллическая природа полупроводников [7]
Типы полупроводников [7]
Химическая связь в кристаллах [8]
Прямая и обратная решетки [10]
Классификация кристаллических решеток [14]
Индексы Миллера [18]
Определение ориентации кристаллов [20]
Несовершенства в кристаллических структурах [23]
§ 2. Электронные состояния в твердых телах [26]
Исходные положения зонной теории [26]
Модель Зоммерфельда. Плотность состояний [28]
Модель Кронига и Пенни. Энергетические зоны [32]
Функции Блоха [38]
Зоны Бриллюэна [40]
Классификация электронных состояний [41]
Эффективная масса [43]
Дырки [45]
Энергетические уровни примесей [46]
§ 3. Статистика электронов в полупроводниках [51]
Функция Ферми—Дирака [51]
Уровень Ферми в собственном невырожденном полупроводнике [53]
Интегралы Ферми—Дирака [55]
Произведение n*р* [57]
Фактор спинового вырождения примесного уровня [58]
Смещение уровня Ферми при легировании полупроводника [59]
Классификация твердых тел на проводники, изоляторы и полупроводники [61]
§ 4. Колебания кристаллической решетки [62]
Температура Дебая [62]
Колебания одномерной решетки, состоящей из одинаковых атомов [65]
Линейная цепочка, состоящая из атомов двух сортов [68]
Гармонические колебания трехмерной решетки [72]
Фононы [75]
§ 5. Экситоны и поляроны [77]
Квазичастицы в твердых телах [77]
Трансляционное и внутреннее движение экситонов большого радиуса [79]
Поляроны [83]
Глава II. Основные механизмы взаимодействия света с полупроводниками [85]
Вводные замечания [85]
§ 6. Оптические переходы зона—зона [86]
Скорости стимулированных и спонтанных переходов [86]
Край полосы собственного поглощения [91]
Скорость суммарной спонтанной рекомбинации [95]
§ 7. Люминесценция [97]
Определение люминесценции Вавилова—Видемана [97]
Универсальное соотношение между спектрами поглощения и люминесценции [100]
Отрицательная люминесценция [105]
Линейная и квадратичная скорости люминесценции [107]
Энергетический и квантовый выход люминесценции [109]
Длительность люминесценции и времена жизни избыточных носителей [114]
Поляризация излучения [118]
Горячая люминесценция [121]
§ 8. Экситонный механизм поглощения и испускания света [124]
Специфика экситонных оптических переходов [124]
Прямые оптические переходы свободных экситонов [126]
Непрямые экситонные оптические переходы [130]
Связанные экситоны [135]
Светоэкситоны (поляритоны) [137]
Неравновесное распределение экситонов по кинетической энергии [138]
Кинетические уравнения [140]
Правило Урбаха [144]
§ 9. Оптические переходы в примесном полупроводнике [147]
Эффект Бурштейна—Мосса [147]
Захват и эмиссия носителей заряда дефектами кристалла [150]
Примесное краевое поглощение и испускание [157]
Рекомбинация донорно-акцепторных пар [161]
§ 10. Поглощение инфракрасного излучения свободными носителями и кристаллической решеткой [167]
Оптические переходы электронов и дырок в пределах одной зоны (подзоны) [167]
Поглощение света при переходах между подзонами одной вырожденной зоны [172]
Поглощение света кристаллической решеткой [175]
Собственные колебания плазмы [178]
§ 11. Безизлучательная рекомбинация [182]
Рекомбинация Оже [182]
Поверхностная рекомбинация [191]
Неоптические переходы в дефектах кристалла [192]
§ 12. Изменение оптических свойств полупроводников под действием внешних сил [192]
Зависимость ширины запрещенной зоны от температуры [192]
Влияние давления на зонную структуру [195]
Эффект Келдыша—Франца [198]
Эффект Штарка [200]
Ионизация экситонов в электрическом поле [202]
Магнетооптические явления [203]
Модуляционная спектроскопия [206]
Глава III. Поглощение света и фотолюминесценция при интенсивном возбуждении [210]
§ 13. Эффекты насыщения в системах с дискретными уровнями энергии [210]
Ограниченность законов линейной оптики [210]
Общее решение системы стационарных кинетических уравнений [211]
Параметры нелинейности [215]
Насыщение поглощения изотропной, линейно поляризованной и естественной радиации [218]
Вынужденный дихроизм [220]
Деполяризация люминесценции [221]
Обобщение классической формулы Левшина [222]
Гармонический осциллятор — уникальная модель вещества [223]
§ 14. Просветление полупроводников на частоте возбуждающего света [226]
Модель двух дискретных уровней [226]
Модель параболических зон с правилом отбора по волновому вектору [229]
Модель параболических зон без правил отбора по волновому вектору [236]
Модель гауссовых примесных зон [238]
Влияние легирующих примесей на характер зависимости коэффициента поглощения от накачки [240]
Насыщения поглощения в условиях рекомбинации Оже [246]
§ 15. Деформация спектров поглощения и люминесценции. Насыщение усиления [251]
Однородное и неоднородное уширение спектральных линий [251]
Начальный этап изменения спектров поглощения и люминесценции [253]
Пределы деформации спектров поглощения и люминесценции [254]
Общие закономерности насыщения усиления [258]
Насыщение усиления в двухуровневой схеме [259]
§ 16. Двухфотонное поглощение [261]
Коэффициент двухфотонного поглощения [261]
Условия экспериментального наблюдения двухфогонного поглощения [267]
Фотолюминесценция и фотопроводимость при двухфотонном возбуждении [269]
Прохождение ультракоротких импульсов света через полупроводниковые кристаллы [271]
§ 17. Насыщение поглощения в конечных объемах вещества [273]
Зависимость пропускания плоскопараллельных пластин от интенсивности света [273]
Экспериментальные методы обнаружения эффектов насыщения [279]
Расчет функции K (S) на основании экспериментальных данных [282]
Условие равномерного возбуждения просветляющегося цилиндрического стержня [283]
§ 18. Экситон-экситонное взаимодействие при низких температурах [285]
Появление новых линий излучения [285]
Экситонные молекулы [287]
Экситонная жидкость [291]
Бозе-эйнштейновская конденсация экситонов и экситонных молекул [296]
Многообразие форм коллективного взаимодействия носителей [298]
Глава IV. Полупроводниковые лазеры [300]
§ 19. Исходные положения квантовой электроники [300]
Возникновение новой науки [300]
Активные среды [301]
Способы накачки [303]
Оптические резонаторы [304]
Энергетическое и интерференционное условия получения генерации [306]
Генерация по трехуровневой и четырехуровневой схемам [309]
Влияние резонатора на поглощение света и люминесценцию [313]
§ 20. Зависимость порогового тока от спектроскопических характеристик вещества и параметров резонатора [316]
Активный слой инжекционных гомо- и гетеролазеров [316]
Соотношение между пороговым током, мощностью и квантовым выходом люминесценции [321]
Зависимость порога генерации от толщины активного слоя [323]
Зависимость порогового тока от коэффициента потерь в модели параболических зон [325]
Ток инверсии и параметр * [328]
Стимулированное испускание с участием хвостов зон и примесных зон [331]
Поглощение излучения свободными носителями в активном слое [337]
Температурная зависимость порогового тока для неоднородного активного слоя [339]
Учет зависимости функции плотности состояний от уровня заполнения зон [339]
§ 21. Мощность и к. п. д. генерации лазерных диодов [340]
Рост люминесценции после преодоления порога [340]
Внутренний квантовый выход генерации [343]
Оптимальный режим генерации [345]
Экспериментальное определение лазерных параметров [350]
§ 22. Спектральные и пространственные характеристики генерируемого излучения [354]
Типы электромагнитных колебаний в оптическом резонаторе [354]
Одномодовый и многомодовый режимы генерации [358]
Экспериментальное определение спектра усиления активной среды на основании универсального соотношения (7.18) [363]
Угол расходимости лазерного луча [365]
Лазеры с распределенной обратной связью [369]
§ 23. Радиационный шум в лазерах [371]
Люминесценция — неустранимый источник радиационного шума в лазерах [371]
Коэффициент потерь радиации шума [374]
Влияние шума на порог генерации [376]
Рассеяние генерируемого излучения в активной среде [378]
Инжекционный лазер с непланарным р—n-переходом [379]
§ 24. Временные характеристики генерации [381]
Динамические режимы работы лазеров [381]
Время задержки генерации [383]
Зависимость порогового тока от длительности возбуждающего импульса [387]
Переходный режим генерации [388]
Амплитудная и частотная автомодуляция излучения [391]
Генерация наносекундных импульсов излучения в режиме модулированной добротности [394]
Генерация пикосекундных импульсов излучения в режиме самосинхронизации мод [395]
§ 25. Полупроводниковые лазеры с оптическим и электронным возбуждением [397]
Особенности оптической накачки [397]
Порог генерации с учетом насыщения поглощения возбуждающего света [768] [402]
Мощность и к. п. д. генерации [405]
Просветление пассивных областей пластинчатых лазеров [769] [407]
Экситонный механизм генерации излучения [410]
Возбуждение генерации пучком быстрых электронов [414]
Литература [419]
Предметный указатель [455]

Формат: djvu
Размер: 4406745 байт
Язык: Русский
Скачать: открыть
12
1210090″>



Комментариев нет

Обсуждение закрыто.

Яндекс.Метрика Рейтинг@Mail.ru