Физика полупроводниковых приборов. Книга 1.

Физика полупроводниковых приборов. Книга 1.

Автор(ы): Зи С.

10.02.2016
Год изд.: 1981
Описание: Развитие полупроводниковой электроники и расширение областей ее применения происходят столь бурными темпами, что кажется почти невероятным
появление книги по физическим основам функционирования полупроводниковых приборов, которая в течение длительного времени удовлетворяла бы исследователей и разработчиков полупроводниковых устройств. Тем не менее такая книга существует, и она перед вами. Ее автор — известный специалист в области полупроводниковой электроники, сотрудник фирмы Bell Laboratories, д-р С. Зи. Первое издание его монографии, ставшее настольным для специалистов, вышло в свет в 1969 г. О’ популярности этой книги свидетельствует огромное число ссылок, встречающихся до сих пор в оригинальных статьях. Ее перевод в нашей стране уже давно стал библиографической редкостью.
Оглавление:
Физика полупроводниковых приборов. Книга 1. скачать без регистрации https://book-com.ru

ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА ПЕРЕВОДА [5]
ПРЕДИСЛОВИЕ АВТОРА [6]
ВВЕДЕНИЕ [8]
ЧАСТЬ I. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ [11]
Глава 1. Физика и свойства полупроводников [11]
Введение [11]
Кристаллическая структура [11]
Энергетические зоны [16]
Концентрация носителей при термодинамическом равновесии [20]
Явления переноса [33]
Фононные спектры. Оптические и тепловые свойства полупроводников. Поведение полупроводников при сильных электрических полях [45]
Основные уравнения для анализа работы полупроводниковых приборов [58]
Литература [65]
ЧАСТЬ II. БИПОЛЯРНЫЕ ПРИБОРЫ [69]
Глава 2. Плоскостные диоды [69]
Введение [69]
Основы технологии [69]
Обедненный слой и барьерная емкость [80]
Вольт-амперные характеристики [91]
Пробой p — n-перехода [103]
Переходные процессы и шумы [117]
Схемные функции [121]
Гетеропереходы [132]
Литература [139]
Глава 3. Биполярные транзисторы [142]
Введение [142]
Статические характеристики [143]
СВЧ-транзисторы [166]
Мощные транзисторы [180]
Переключающие транзисторы [186]
Разновидности биполярных транзисторов [192]
Литература [198]
Глава 4. Тиристоры [202]
Введение [202]
Основные характеристики [202]
Диодный и триодный тиристоры [221]
Мощные тиристоры [235]
Диак и триак [243]
Однопереходные транзисторы и переключающие тиристоры [247]
Полевые тиристоры [252]
Литература [254]
ЧАСТЬ III. УНИПОЛЯРНЫЕ ПРИБОРЫ [257]
Глава 5. Контакты металл — полупроводник [257]
Введение [257]
Зонные диаграммы [258]
Эффект Шоттки [262]
Теории процессов переноса заряда [266]
Высота барьера [283]
Структуры приборов [310]
Омический контакт [318]
Литература [321]
Глава 6. Полевые транзисторы с p — n-переходом в качестве затвора и полевые транзисторы типа металл — полупроводник [325]
Введение [325]
Основные характеристики приборов [327]
Особенности характеристик реальных приборов [338]
Высокочастотные характеристики [355]
Другие полевые приборы [366]
Литература [374]
Глава 7. МДП-структуры. Приборы с зарядовой связью [377]
Введение [377]
Идеальная МДП-структура [378]
Si — Si02 — МОП-структуры [394]
Приборы с зарядовой связью [429]
Литература [450]

Формат: djvu
Размер: 9448637 байт
Язык: Русский
Скачать: открыть
14
1210170″>



Яндекс.Метрика Рейтинг@Mail.ru