Электронная теория неупорядоченных полупроводников

Электронная теория неупорядоченных полупроводников

Автор(ы): Бонч-Бруевич В., Л., Звягин И. П., Кайпер Р. и др.

19.08.2015
Год изд.: 1981
Описание: Книга содержит изложение основных представлений современной теории неупорядоченных полупроводников. Подробно обсуждаются новые идеи, возникшие в связи с изучением движения частиц в случайных полях, характеристики которых заданы только статистически. Выясняется, какие представления стандартной зонной теории сохраняют силу и в применении к неупорядоченным полупроводникам. Рассматриваются развитые в последнее десятилетие методы расчета энергетических, электрических и оптических характеристик неупорядоченных систем. Рассматриваются также приложения этих представлений для решения ряда задач кинетики и оптики неупорядоченных материалов.
Оглавление:
Электронная теория неупорядоченных полупроводников скачать без регистрации https://book-com.ru

Предисловие [6]
Глава I. Введение [9]
§ 1. Определение неупорядоченной системы. Примеры [9]
§ 2. Случайная сетка атомов [15]
§ 3. Сводка некоторых экспериментальных данных [17]
§ 4. Общие особенности неупорядоченных систем [24]
§ 5. Плотность состояний (предварительные соображения) [28]
§ 6. Плотность состояний (строгое рассмотрение) [34]
§ 7. Самоусредняющиеся величины [41]
Глава II. Энергетический спектр неупорядоченного полупроводника [44]
§ 1. Спектр электронов (качественные соображения) [44]
§ 2. «Подводные камни» [53]
§ 3. Андерсеновская локализация [57]
§ 4. Спектр фононов (качественные соображения) [61]
§ 5. Химические связи в неупорядоченных полупроводниках и модели плотности состояний [65]
§ 6. Неупорядоченный полупроводник без случайного поля [70]
§ 7. Статистические характеристики случайного поля [73]
§ 8. Собственное случайное поле в неупорядоченных полупроводниках [87]
§ 9. Теорема существования дискретных флуктуационных уровней в запрещенной зоне неупорядоченного полупроводника [98]
§ 10. Оценка концентрации флуктуационных уровней [109]
§ 11. Радиус локализации. Степенная локализация [113]
§ 12. Плавное искривление зон [116]
§ 13. Квазиоднородные системы [120]
§ 14. Корреляционные эффекты [123]
§ 15. Экситон в неупорядоченном полупроводнике [124]
§ 16. Кулоновская щель [129]
§ 17. Экранирование локализованными носителями заряда при наличии мягкой щели [136]
§ 18. Низкотемпературная термодинамика носителей заряда при наличии мягкой щели [140]
§ 19. Термодинамика локализованных носителей заряда при наличии двухэлектронных уровней [145]
Глава III. Плотность состояний и двухуровневая функция корреляции [152]
§ 1. Введение [152]
§ 2. Метод оптимальной флуктуации [154]
§ 3. Функция корреляции уровней [160]
§ 4. Функция корреляции уровней электрона в гауссовом случайном поле [163]
§ 5. Представление функции Грина в виде континуального интеграла [169]
§ 6. Качественное исследование усредненной одночастичной функции Грина [173]
§ 7. Вычисление континуального интеграла для Gr(t). Плотность состояний [180]
Глава IV. Явления переноса [190]
§ 1. Основные механизмы переноса [190]
§ 2. Гамильтониан в *-представлении [195]
§ 3. Кинетическое уравнение [200]
§ 4. Отклик системы на внешнее электрическое поле и градиент температуры [206]
§ 5. Плотность тока в *-представлении [213]
§ 6. Метод функций Грина в теории прыжковой проводимости [220]
§ 7. Многофононные перескоки [223]
§ 8. Общее обсуждение методов решения кинетического уравнения для локализованных электронов [228]
§ 9. Критерий связей [234]
§ 10. Температурная зависимость прыжковой проводимости [240]
§ 11. Бесфононная проводимость [245]
§ 12. Температурная зависимость прыжковой термоэдс [249]
§ 13. Кинетическое уравнение при учете электрон-электронного взаимодействия [256]
§ 14. Учет динамической корреляции между электронами при расчете проводимости и термоэдс [267]
§ 15. Проводимость неоднородных полупроводников с крупномасштабными флуктуациями потенциала [272]
§ 16. Критическое поведение в задачах протекания [278]
Глава V. Междузонные оптические переходы в неупорядоченных полупроводниках [282]
§ 1. Общие соотношения. Роль случайного поля [282]
§ 2. Поглощение света в гладком гауссовом случайном поле [289]
§ 3. Электропоглощение в гладком поле [297]
§ 4. Поглощение в примесном случайном поле [305]
§ 5. Экситонное поглощение света в слабом случайном поле [310]
§ 6. Влияние экситонных эффектов на хвост коэффициента поглощения [314]
Глава VI. Резонансное комбинационное рассеяние света в неупорядоченных полупроводниках [319]
§ 1. Введение. Общее выражение для сечения рассеяния и конфигурационное усреднение [319]
§ 2. Влияние гладкого случайного поля на комбинационное рассеяние света при (формула) [323]
§ 3. Влияние гладкого поля на комбинационное рассеяние в случае (формула) [336]
Приложения [344]
I. Теоремы о корреляции [344]
II. Поле упругих деформаций [350]
III. Характеристический функционал гауссова случайного поля [354]
IV. Непосредственный расчет бинарной корреляционной функции пуассоновского случайного поля [354]
V. Характеристический функционал лоренцева случайного поля [355]
VI. Вычисление интеграла, фигурирующего в формуле (П. 9.31) [356]
VII. Функции Грина в задаче с гамильтонианом (П. 16.1′) при Т=0 [356]
VIII. Диагонализация формы *** [358]
IX. Вычисление величин П*(к) и П*(к) [361]
X. Поведение решения кинетического уравнения в области малых частот [364]
XI. Некоторые результаты стандартной теории протекания [366]
ХII. Квазиклассический расчет функции Грина для электрона в гладком гауссовом случайном поле [369]
XIII. Вычисление интеграла по * в формуле для *(*) (V.2.1) [374]
XIV. Квазиклассический расчет функции Грина для электрона в примесном случайном поле [375]
XV. Преобразование выражения (VI. 2.23) [378]
Литература [381]

Формат: djvu
Размер: 3068561 байт
Язык: Русский
Скачать: открыть
10
1209766″>



Яндекс.Метрика Рейтинг@Mail.ru