Библиотечка «Квант». Выпуск 65. Барьеры (От кристалла до интегральной схемы)

курсовые рефераты
1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (Проголосуй первым)
Загрузка...

Библиотечка «Квант». Выпуск 65. Барьеры (От кристалла до интегральной схемы)

Автор(ы): Левинштейн М. Е., Симин Г. С.

09.06.2010
Год изд.: 1987
Описание: Популярный рассказ о полупроводниковых приборах — о том, как они устроены, как работают, где применяются, как выращивают и очищают полупроводники, как изготавливают интегральные схемы, как зарождалась полупроводниковая электроника и какие удивительные перемены произошли в мире с ее появлением. В основе работы полупроводниковых приборов лежат свойства кристалла, из которого прибор изготовлен, и свойства барьеров, возникающих на границе между различными частями кристалла. Поняв свойства полупроводников и преодолев барьеры, можно разобраться в том, как работает любой прибор — от простейшего диода до самой сложной интегральной схемы. Для учащихся старших классов, студентов, преподавателей.
Оглавление:
Библиотечка "Квант". Выпуск 65. Барьеры (От кристалла до интегральной схемы) скачать без регистрации https://book-com.ru

От авторов [6]
Введение. Дорогу осилит идущий [7]
Часть I. ПОЛУПРОВОДНИКИ [10]
Глава 1. Что такое полупроводник [11]
Металлы, диэлектрики, полупроводники [12]
Собственные полупроводники [16]
«Свободные» электроны в кристалле [17]
Дырки [18]
Генерация и рекомбинация [20]
Тепловая генерация электронов и дырок [21]
Рекомбинация электронов и дырок [22]
Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике [23]
Бестигельная зонная плавка [24]
Примесные полупроводники [26]
Донорная примесь [26]
Примесное истощение [28]
Зависимость концентрации электронов от температуры [29]
Дырки в электронном полупроводнике [30]
Акцепторная примесь [32]
Послушайте теперь ту же мелодию в исполнении фагота [33]
Компенсация [37]
Moralite [40]
Глава 2. Рождение, жизнь и смерть электрона и дырки [41]
Рождение и смерть [41]
Глубокие центры: компенсаторы, ступеньки, убийцы [41]
Жизнь и движение [53]
Тепловое движение: средняя скорость, шарики для настольного тенниса на подносе и в ведре с водой [53]
Движение в электрическом поле: подвижность, зависимость дрейфовой скорости от поля, энергетическая диаграмма [65]
История самых главных понятий [74]
Диффузия (коэффициент диффузии, диффузионный ток, соотношение Эйнштейна, скорость диффузии, диффузия неравновесных носителей) [75]
Moralite [84]
Часть II. БАРЬЕРЫ [86]
Глава 3. Барьер на границе кристалла [87]
Работа выхода [88]
Вернись, я вновь и вновь зову — вернись [91]
Двойной заряженный слой [93]
Как определяется работа выхода и чему она равна [94]
С полупроводниками, как всегда, дело обстоит непросто [99]
Поверхностные состояния [103]
Уровни Тамма [104]
Реальная поверхность [104]
Изгибы зон, поверхностный потенциал [105]
Moralite [111]
Глава 4. Основные параметры энергетических барьеров в полупроводниках [112]
Как внешнее электрическое поле проникает в металл, диэлектрик, полупроводник [113]
Металл [113]
Диэлектрик [115]
Полупроводник [116]
Закон изменения поля с координатой [117]
Распределение поля в барьере. Ширина барьера [120]
Трансмутационное легирование полупроводников [125]
Несколько слов о прямоугольных треугольниках [127]
Moralite [128]
Глава 5. р — n переход [129]
Способы получения р — n переходов [130]
Сплавление [132]
Диффузия [133]
Ионная имплантация [138]
Барьер на границе [141]
Высота барьера [144]
Обедненный слой [147]
Распределение поля в барьере. Ширина барьера [149]
Чудесное равновесие [154]
Обратное смещение [161]
Высота и форма барьера [163]
Обратный ток [164]
Фотодиоды [170]
Барьерная емкость [175]
Варикапы [181]
Ударная ионизация [188]
Первая похвала терпению [198]
Прямое смещение [199]
Высота барьера [199]
Прямой ток [200]
Инжекция [205]
Снова прямой ток [208]
Светодиоды [210]
Солнечные батареи [217]
Выпрямительные диоды [222]
Вторая похвала терпению [230]
Moralite [231]
Часть III. ТРАНЗИСТОРЫ [233]
Глава 6. Биполярные транзисторы [234]
Принцип работы биполярного транзистора [234]
Усиление по току [238]
Притча о главном и деталях [240]
Быстродействие транзистора [240]
Как выглядят биполярные транзисторы и как они изготавливаются [251]
Фотолитография [258]
Простейшие транзисторные схемы [260]
Схема усилителя с общим эмиттером [260]
Схема усилителя с общей базой [270]
Moralite [274]
Глава 7. Полевой транзистор [275]
На варе туманной юности [275]
Основная идея [275]
Простые оценки [277]
Старые друзья [278]
Зрелость и расцвет [279]
Полевой транзистор с р — n переходом [279]
Эпитаксия [281]
Усердие все превозмогает: МДП транзисторы [285]
Несколько важных деталей [289]
Физическая картина работы полевого транзистора в реальных рабочих режимах [290]
Основные параметры полевых транзисторов [295]
Крутизна [295]
Быстродействие [298]
Полевой транзистор как элемент радиотехнических схем [299]
Moralite [300]
Глава 8. Транзисторы и жизнь [301]
Первая королева [302]
Гадкий утенок [305]
Да здравствует король! [307]
Король исчезает. Да здравствует король! [309]
Претенденты на трон [316]
Объемные интегральные схемы [317]
Полупроводниковые элементы оптических ЭВМ [317]
Биорадиоэлектроника [318]
Заключение [319]

Формат: djvu
Размер: 4326947 байт
Язык: Русский
Скачать: открыть
4
737748″>



Комментариев нет

Обсуждение закрыто.

Яндекс.Метрика Рейтинг@Mail.ru